特許
J-GLOBAL ID：200903079632153784
低抵抗ZnSe単結晶基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和田 昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287526
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118098
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：
【要約】【目的】 高抵抗ZnSe単結晶から10Ωcm以下の低抵抗ZnSe単結晶を得て、電流を流すことが可能な低抵抗ZnSe単結晶基板を実現し、青色レーザダイオード、青色発光ダイオードといった青色発光デバイスの作成に利用できるようにする。【構成】 固相成長により育成したZnSe単結晶3を、溶融Znと溶融Inの混合融液2中に浸漬させることにより低抵抗化を図る、低抵抗ZnSe単結晶基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
固相成長により育成したZnSe単結晶を、溶融Znと溶融In,GaまたはAlの混合融液中に浸漬させることにより、抵抗率106Ωcm以上の高抵抗ZnSe単結晶から抵抗率10Ωcm以下の低抵抗ZnSe単結晶を得ることを特徴とする低抵抗ZnSe単結晶基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/48
, C30B 33/10
, H01L 33/00
