特許
J-GLOBAL ID:200903079640642603
反応性成膜装置及び反応性成膜方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安田 敏雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-156295
公開番号(公開出願番号):特開2003-342724
出願日: 2002年05月29日
公開日(公表日): 2003年12月03日
要約:
【要約】【課題】 アノードと導電性ターゲットを配したカソードとを設けたチャンバー内へ反応ガスと不活性ガスとを導入しつつ、チャンバー内でアノードとカソードとの間にDC放電させ、ターゲットから所定位置に配置された被成膜物に絶縁膜を成膜する反応性成膜装置において、アノード消失の問題があった。【解決手段】 アノード12に対して導電性膜を成膜するアノード再生機構13が設けられた構成とした。
請求項(抜粋):
アノード(12)と導電性ターゲットを配したカソード(4)とを設けたチャンバー(3)内へ反応ガスと不活性ガスとを導入しつつチャンバー(3)内で上記アノード(12)とカソード(4)との間にDC放電させ上記ターゲットから所定位置に配置された被成膜物(W)に絶縁膜を成膜させる反応性成膜装置において、上記アノード(12)に対して導電性膜を成膜させるアノード再生機構(13)が設けられていることを特徴とする反応性成膜装置。
Fターム (9件):
4K029BA46
, 4K029BA58
, 4K029BC05
, 4K029CA06
, 4K029DC12
, 4K029DC13
, 4K029DC20
, 4K029DC27
, 4K029DC34
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