特許

J-GLOBAL ID：200903079641176061

半導体装置

発明者： 当山 勝利
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030889
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221327
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 n+層1の上にn-層2をエピタキシャル成長させ、n-層2の上面にショットキー電極3を設け、n+層1の下面にオーミック電極4を設けたショットキーバリアダイオードにおいて、n-層2のキャリア密度をショットキー電極3側で小さく、n+層との界面側で大きくなるよう1次関数的に変化させた。【効果】 同等な順方向特性を有する従来のショットキーバリアダイオードと比較してより大きな耐圧を得られるので、順方向特性と逆バイアス時の耐圧にすぐれた信頼性の高いショットキーバリアダイオードを製作することができる。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層の上方に第2の半導体層を形成し、第2の半導体層の上面にショットキー電極を設け、第1の半導体層の下面にオーミック電極を設けたショットキーバリア型の半導体装置において、前記第2の半導体層におけるキャリア濃度が、ショットキー電極側で小さく、第1の半導体層側で大きくなるよう次第に変化していることを特徴とする半導体装置。