特許
J-GLOBAL ID:200903079652017160

装飾クロムめっき皮膜の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松原 等
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-315844
公開番号(公開出願番号):特開平6-146070
出願日: 1992年10月30日
公開日(公表日): 1994年05月27日
要約:
【要約】【目的】 装飾クロムめっき皮膜において、ニッケルめっき層の腐食電位の低下を招くことなく、その上層のクロムめっき層の付廻り性を向上させる。【構成】 銅基材1の表面に、半光沢ニッケルめっき層2、光沢ニッケルめっき層3、分散ストライクニッケルめっき層4及びクロムめっき層5を順に積層してなるマイクロポーラスクロムめっき皮膜6を形成する。分散ストライクニッケルめっき層4形成用のめっき浴にCrO3 を添加すると、6価のクロムイオン(Cr6+)は分散ストライクニッケルめっき層4中に共析するため、その上層にクロムめっき層5を形成するときに、析出するクロムの核形成を促進する。
請求項(抜粋):
ニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に形成したクロムめっき層とを含む装飾クロムめっき皮膜の形成方法において、ニッケルめっき層形成用のめっき浴にクロムイオンを5〜20ppm添加したことを特徴とする装飾クロムめっき皮膜の形成方法。
IPC (2件):
C25D 5/14 ,  C25D 15/02

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