特許

J-GLOBAL ID：200903079660581791

層間接続構造体、多層配線基板およびそれらの形成方法

発明者： 加藤 貴
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028736
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228580
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 高密度実装に対するビルド・アップ・プリント配線板への要求に応えるため、導通回路層間接続のためのビア径をより小さくした場合、著しい歩留りの低下、製造コストの増加及び信頼性低下を改善するバンプ構造を有する層間接続構造体及びそれからなる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上の金属層を均一エッチングし、小径のバンプ・ビアを高い歩留りで形成し、バンプ・ビアと上層回路との接続を樹脂と同一平面上で金属メッキにより確保することにより高い接続信頼性を得ることのできるバンプ構造を有する層間接続構造体及び多層積層板の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

下層電気回路と上層電気回路との層間接続であって、(a)基板の片面または両面に、金属層を積層してなるコア配線板を準備するステップ、(b)前記コア配線板に、エッチングレジストを形成し、層間接続部分にレジストパターンを残して、露光し、現像するステップと、(c)前記金属層の等方性エッチングにより、バンプ・ビアを形成し、かつ下層金属層を残存させるステップと、(d)ポジ型電着レジスト膜を形成し、露光、現像し、エッチングによりバンプ・ビア下の下層パターンを形成するステップと、(e)絶縁樹脂の形成ステップ、および(f)絶縁層研磨、絶縁層粗化処理、金属めっきによる上層パターン形成ステップとで構成されることを特徴とする層間接続構造体の形成方法。

IPC (2件)：

H05K 3/40 ,  H05K 3/46

FI (3件)：

H05K 3/40 K ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B

Fターム (31件)：

5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB12 ,  5E317CC31 ,  5E317CD05 ,  5E317CD25 ,  5E317GG05 ,  5E317GG14 ,  5E317GG17 ,  5E346AA02 ,  5E346AA03 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC16 ,  5E346CC32 ,  5E346CC54 ,  5E346CC55 ,  5E346DD22 ,  5E346DD32 ,  5E346EE33 ,  5E346FF01 ,  5E346FF22 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346GG23 ,  5E346GG27 ,  5E346GG28 ,  5E346HH07 ,  5E346HH25 ,  5E346HH26 ,  5E346HH33