半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-312834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-121698
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】銅配線プロセスにおける、メッキ工程、アニーリング工程、二つのCMP工程等の複数工程を一つの製造装置で行うことによりTATの短縮を図るとともに、CMP工程を他工程に置き換えることで消耗材のコストを抑える。【解決手段】基板91が電解メッキされる電解メッキチャンバ11と、基板91が電解研磨される電解研磨チャンバ21と、電解メッキチャンバ11に対する基板91の搬入搬出および電解研磨チャンバ21に対する基板91の搬入搬出を行う搬送装置83を設置したもので、電解メッキチャンバ11と電解研磨チャンバ21のそれぞれに接続された搬送チャンバ81とを備えたもので、搬送チャンバ81には、図示はしないが、無電解メッキチャンバ、アニーリングチャンバ、液処理チャンバ等を備えることも可能である。

請求項（抜粋）：

基板が電解メッキされる電解メッキ装置が構成される電解メッキチャンバと、基板が電解研磨される電解研磨装置が構成される電解研磨チャンバと、前記電解メッキチャンバに対する基板の搬入搬出および前記電解研磨チャンバに対する基板の搬入搬出を行う搬送装置を設置したもので、前記電解メッキチャンバと前記電解研磨チャンバのそれぞれに接続された搬送チャンバとを備えたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (8件)：

C25D 19/00 , C23C 18/16 , C25D 7/12 , C25F 3/30 , H01L 21/288 , H01L 21/3063 , H01L 21/306 , H01L 21/3205

FI (9件)：

C25D 19/00 C , C23C 18/16 C , C25D 7/12 , C25F 3/30 , H01L 21/288 E , H01L 21/306 L , H01L 21/306 F , H01L 21/88 R , H01L 21/88 K

Fターム (62件)：

4K022AA01 , 4K022AA05 , 4K022AA37 , 4K022AA41 , 4K022BA08 , 4K022BA35 , 4K022CA03 , 4K022DB15 , 4K022DB19 , 4K022EA01 , 4K024AA09 , 4K024AB08 , 4K024AB17 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CB02 , 4K024CB03 , 4K024CB14 , 4K024CB26 , 4K024DA02 , 4K024DB01 , 4K024DB10 , 4K024FA07 , 4K024FA08 , 4K024GA16 , 4M104BB04 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD78 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ34 , 5F033KK07 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ19 , 5F033QQ46 , 5F033QQ73 , 5F033QQ92 , 5F033XX05 , 5F033XX08 , 5F033XX20 , 5F033XX34 , 5F043AA26 , 5F043DD14 , 5F043DD16 , 5F043EE07 , 5F043EE36 , 5F043GG02

引用特許：

審査官引用 (5件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-264564 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
めっき膜の表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-090295 出願人：日立電線株式会社
特開昭60-138090

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