特許

J-GLOBAL ID：200903079664597382

半導体装置の製造方法

発明者： 望月 直人 ,  加藤 寛
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385822
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184734
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置を製造する際の配線等の回路を研磨によって形成する工程において、ディッシングを効果的に防止しつつ平坦性の高い回路面を効率良く短時間で作製する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に配線形成用の凹部を設けた絶縁膜が積層され、該凹部を含む絶縁膜表面にバリア膜を介して金属膜が積層された積層体を構成し、該積層体の金属膜を、高速で、バリア膜上に金属膜の一部が層状に残存するように研磨を行う一次研磨工程を実施後、金属膜の研磨速度がやや遅く、オーバーポリッシュ時に凹部金属膜が腐食しないように、残存する金属膜の研磨を行う二次研磨工程を実施し、最後にバリア膜が消失するようにバリア膜及び金属膜を研磨除去する三次研磨工程を実施する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配線形成用の凹部を設けた絶縁膜が積層され、該凹部を含む絶縁膜表面にバリア膜を介して金属膜が積層された積層体を構成し、該積層体を金属膜、バリア膜の順に研磨して上記凹部に残存する金属膜により配線が形成された半導体装置を製造する方法において、(1)研磨剤(第一研磨剤)を用いて上記凹部以外に存在するバリア膜上に金属膜の一部が層状に残存するように、金属膜の研磨速度が6000オングストローム/分以上となる条件で金属膜の研磨を行う一次研磨工程、(2)研磨剤(第二研磨剤)を用いて前記凹部以外に存在するバリア膜上に残存する金属膜が消失するように、金属膜の研磨速度が1000オングストローム/分以上、6000オングストローム/分未満、バリア膜の研磨速度が100オングストローム/分以下で、且つディッシング速度が500オングストローム/分以下となる条件で金属膜の研磨を行う二次研磨工程、及び(3)研磨剤(第三研磨剤)を用いて前記凹部以外に存在するバリア膜が消失するように、バリア膜及び金属膜を同時に研磨する三次研磨工程よりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 K

Fターム (22件)：

3C058AA07 ,  3C058BA04 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17 ,  5F033GG00 ,  5F033GG01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033XX01