三次元メモリモジュ-ル及びそれを用いた半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-100286
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317494
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】高度な技術と長期の開発期間を必要としないで容易に短期間で、低コストなチップセレクタ入りの三次元メモリモジュールを実現する。【解決手段】キャリヤ1にバンプ6を用いてチップセレクタチップ3とメモリチップ4を搭載する。次に封止樹脂5により、キャリヤ1とチップセレクタチップ3とメモリチップ4の間を樹脂封止し、単品のチップセレクタ入りメモリモジュールを製造する。キャリヤ1には、スタックバンプ7によるスタック用のスタックパッド2が形成されている。単品のチップセレクタ入りメモリモジュールをスタックバンプ7により所望の段数スタックして、チップセレクタ入り三次元メモリモジュールを製造する。これによって、高度な技術と長期の開発期間を必要としないで、容易に短期間で低コストなチップセレクタ入りの三次元メモリモジュールを実現できる。

請求項（抜粋）：

回路パターンが形成されたキャリヤ上に半導体チップ及びチップセレクト用素子を設けた半導体装置ユニット同士をスタック接続したことを特徴とする三次元メモリモジュール。

IPC (4件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 25/00

FI (2件)：

H01L 25/08 Z , H01L 25/00 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体パッケージとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-036664 出願人：日本電気株式会社
三次元メモリモジュール及びそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-083182 出願人：日本電気株式会社
多層構造半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-243120 出願人：日東電工株式会社

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