特許
J-GLOBAL ID：200903079679339517
エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342731
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236864
出願日： 1993年12月16日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 エッチング処理により材料の表面に付着されたポリマー及びダメージ層を除去して、次工程の処理時間の短縮及びエッチングの再現性を良好にする。【構成】 SiO2 膜31及びフォトレジスト層32が形成された半導体ウエハWが搬入された処理容器内に、CF4 +CHF3 +Arを混合したエッチングガスを供給すると共に、プラズマにより半導体ウエハWのSiO2 膜31及びフォトレジスト層32をエッチングする。エッチング処理後、処理容器内を減圧状態にすると共に、O2 を含む処理ガスを供給して、エッチング処理により半導体ウエハWの表面に形成されたポリマー34とフォトレジスト層32を除去し、このアッシング処理が実質的に終了後、CF4 +O2 を混合した処理ガスを供給すると共に、プラズマ化して、エッチング孔33の底部に付着するダメージ層35を除去する。
請求項（抜粋）：
エッチングマスクとしてのレジスト膜を有する被処理体をエッチングガスのプラズマにより主エッチングする工程と、上記主エッチング後の上記被処理体を後処理して被処理体に残存するレジスト膜、被処理体表面に付着したポリマー及び主エッチングにより生成された不純物層を除去する工程とを備え、上記後処理工程は、O2 ガスを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記被処理体表面に付着したポリマーを除去する第1工程と、実質的に第1工程が終了後ハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより上記不純物層を除去する第2工程とを有することを特徴とするエッチング処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 1/00 104
, C23F 4/00
