特許
J-GLOBAL ID：200903079679384229
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 智廣 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-152174
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013696
出願日： 1991年05月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】出射端面近傍での光吸収による光学的損傷(COD)を防止することができるのは勿論のこと、高出力かつ低しきい値の半導体レーザを、高い信頼性でしかも量産化にすぐれた状態で実現可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】第1クラッド層と、この第1クラッド層上に積層された活性層と、この活性層上に積層された第2クラッド層とを備え、この第2クラッド層の上部にリッジ・ストライプ部を形成するとともに、このリッジ・ストライプ部の出射端面側の端部に、その表面をリッジ・ストライプ部の側方の表面と同一平面とした切欠部を設け、前記リッジ・ストライプ部の側方表面及び切欠部表面から前記活性層に達する不純物拡散領域を設けるように構成した。
請求項（抜粋）：
第1クラッド層と、この第1クラッド層上に積層された活性層と、この活性層上に積層された第2クラッド層とを備え、この第2クラッド層の上部にリッジ・ストライプ部を形成するとともに、このリッジ・ストライプ部の出射端面側の端部に、その表面をリッジ・ストライプ部の側方の表面と同一平面とした切欠部を設け、前記リッジ・ストライプ部の側方表面及び切欠部表面から前記活性層に達する不純物拡散領域を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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