特許
J-GLOBAL ID:200903079681367471

エネルギー線弁別器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-101697
公開番号(公開出願番号):特開2003-294846
出願日: 2002年04月03日
公開日(公表日): 2003年10月15日
要約:
【要約】【課題】 α線を検出する放射線検出器において、半導体基板を精度よく薄膜化し、また薄膜化しても高い強度を有することができるようにする。【解決手段】 エネルギー線弁別器1は、第1層11および第2層12を備える半導体基板10を有している。第1層11には、貫通部11Aが形成されており、貫通部11Aが形成されている部位が薄肉部13とされ、この薄肉部13にα線を検出し、β線などを透過する検出部15が形成されている。貫通部11Aはエッチング加工によって形成されるが、第2層12における第1層11に面する面がエッチング加工の際のストッパ面となる。
請求項(抜粋):
エッチング加工によって貫通部が形成された第1層と、前記第1層に積層される第2層とを備え、前記第1層における貫通部が形成された部位が薄肉部とされ、前記第1層と前記第2層が積層されている部位が厚肉部とされている半導体基板を有し、前記半導体基板における前記薄肉部に、α線を検出する一方、α線よりもエネルギーが大きいエネルギー線を透過させるα線検出部が形成されており、前記第1層における貫通部を形成するエッチング加工を行う際のストッパとなるストッパ面が形成されていることを特徴とするエネルギー線弁別器。
IPC (2件):
G01T 1/24 ,  H01L 31/09
FI (2件):
G01T 1/24 ,  H01L 31/00 A
Fターム (13件):
2G088FF06 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ09 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088BA18 ,  5F088BA20 ,  5F088BB10 ,  5F088CB14 ,  5F088DA01 ,  5F088DA17 ,  5F088DA20 ,  5F088LA07
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る