特許
J-GLOBAL ID：200903079683805026
熱電素子及びそれを用いた熱電素子モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111557
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303471
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、薄膜状の熱電材料で構成され、広い面積を有する冷却又は加熱の対象面を一様に冷却又は加熱することの可能な熱電素子を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、薄膜状の熱電材料で構成され、低温領域と高温領域の温度差を大きく取ることのできるカスケード型の熱電素子モジュールを提供することにある。【解決手段】 基板1上に第1の電極4と、第2の電極5と、熱電材料から成るP型半導体薄膜2と、熱電材料からなるN型半導体薄膜3とが形成され、P型半導体薄膜2は第1の電極4に接続されており、N型半導体薄膜3は第2の電極5に接続されている熱電素子において、P型半導体薄膜2とN型半導体薄膜3とが重なって接合しており、その接合面が基板1の略全面に存する。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の電極と、第2の電極と、熱電材料から成るP型半導体薄膜と、熱電材料から成るN型半導体薄膜とが形成され、前記P型半導体薄膜は前記第1の電極に接続されており、前記N型半導体薄膜は前記第2の電極に接続されている熱電素子において、前記P型半導体薄膜と前記N型半導体薄膜とが重なって接合しており、その接合面が前記基板の略全面に存することを特徴とする熱電素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 35/32 A
, H02N 11/00 A
