特許

J-GLOBAL ID：200903079686250777

半導体装置並びにその製造法

発明者： 尾崎 俊文 ,  田中 治彦 ,  佐野 聡明 ,  小野 秀行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-154370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003311
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】アナログ集積回路、特に、CCD型固体撮像素子や増幅型固体撮像素子の増幅器の1/f雑音を低減し、信号対雑音比を向上する。【構成】増幅器を構成するMOSトランジスタのソースドレイン拡散層4を形成するためホトダイオード6をおおうように形成されたレジスト膜8をマスクとしてフッ素打ち込みを行った。【効果】ホトダイオードに損傷を与えることなく、ゲート電極5下の界面準位を不活性化し、1/f雑音電力を低減でき、高い信号対雑音比を持つ固体撮像素子を実現できる。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に光を電気信号に変換する光電変換素子群と、該素子で発生した光信号電荷を検知増幅する増幅器とを設け、かつ、該増幅器の形成領域にフッ素がイオン打ち込みされたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-243462
  
• 特開昭64-032640