レベル間相互の接続構造および方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-179358
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050690
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】銅デュアルダマシンに基づくレベル間金属化層構造及びそれを形成する方法を提供する。【解決手段】下側金属レベルは露出された金属化層、及び隣接する埋込みストップ層50で形成されている。金属化層及び埋込みストップ層50は、互いに下側誘電体層32とほぼ同一レベルの露出された表面を有する。上側金属レベルは埋込みストップ層50上に堆積された第2のストップ層30、及び第1の金属化層及び第2の誘電体層を含む。レベル間バイアが第2の誘電体層及び第2のストップ層30を通してエッチングされ、金属がバイア内に充填されて金属化層と接触する。もし、レベル間バイアが金属化層の縁上からずれていれば、バイア内の金属は埋込みストップ層に接触し、第1の誘電体層には接触しないので、埋込みストップ層は銅拡散バリヤーとして役立つ。

請求項（抜粋）：

レベル間相互の接続構造であって、基板を備え、上記基板の表面には、第1の金属層、及び第1の誘電体層上に位置する隣接した第1のバリヤー層が形成され、上記第1の金属層及び第1のバリヤー層は共通の露出表面を有しており、上記レベル間相互接続は、更に、上記第1の金属領域及び上記バリヤー層の部分の上に形成されているストップ層と、上記ストップ層の部分の上に形成されている第2の誘電体層と、上記第1の誘電体層及び上記ストップ層を通して伸び、上記第1の金属層に接しているアパーチャと、上記アパーチャ内に充填されている第2の金属層と、を備えていることを特徴とするレベル間相互の接続構造。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/28 301 Z , H01L 21/90 B , H01L 21/88 M

Fターム (87件)：

4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104CC01 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD19 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104DD38 , 4M104DD52 , 4M104DD66 , 4M104DD71 , 4M104DD72 , 4M104DD75 , 4M104EE05 , 4M104EE08 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM10 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP17 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ14 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ49 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033TT04 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX04 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX28

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