特許
J-GLOBAL ID：200903079693042160
半導体不揮発性メモリおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-348456
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204486
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体不揮発性メモリのデータ書込速度、データ消去速度を犠牲にすることなく、それぞれのメモリセルのデータ消去特性を均一にすること。【構成】 フローティングゲート(18)は、CVD形成したアモルファスシリコン層あるいは、ポリシリコン層にシリコン(Si)イオンを注入することによりアモルファス化した層、を再結晶化して得られる第1ポリシリコン層をパターニングして形成される。アモルファスシリコン層を再結晶化して第1ポリシリコン層を得るため、僅かな熱エネルギー(低温処理)でシリコン粒径が大きいポリシリコン層を得ることができ、ゲート絶縁膜(16)界面のシリコン粒断面形状が平坦になると共にフローティングゲート(18)とソース領域(30)との重畳部のデータ消去領域にシリコン粒の境界が配列される確率が大幅に減少する。これにより、それぞれのメモリセルのデータ消去特性が均一化される。
請求項（抜粋）：
第1の導電型のシリコン基板上に形成したゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上にスタック形成したフローティングゲート、カップリング絶縁膜およびコントロールゲートと、コントロールゲートをマスクとする第2の導電型の不純物のイオン注入によりシリコン基板に形成したドレイン領域およびソース領域から構成され、フローティングゲートを構成するポリシリコン層のシリコン粒径を、フローティングゲートとソース領域の重畳部の短サイズの2.5倍以上としたことを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
