特許

J-GLOBAL ID：200903079694278397

イオン注入装置およびイオン注入方法

発明者： 鷹屋 憲志 ,  坂本 久美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-116748
公開番号（公開出願番号）：特開平8-315766
出願日： 1995年05月16日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 イオン打ち込みに不要なイオンを的確に除去し、最適なイオンマス分解能を短時間で得ることができるイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。【構成】 本発明のイオン注入装置1は、質量分析部3の後のスリット板4として各々縦方向に連続的に平行移動する一対の縦スリット板41a、41bと、各々横方向に連続的に平行移動する一対の横スリット板42a、42bとを備えている。また、本発明イオン注入方法は、スリット板4の縦横方向の隙間を連続的に変化させ、質量分析部3にて分離した後のイオンの分布の絞り込み量を調整して、基板10への打ち込みを行うものである。

請求項（抜粋）：

イオン源から引き出したイオンを質量分析部にて分離し、スリット板の隙間を介して所定のイオンのみを通過させて基板に打ち込むイオン注入装置であって、前記スリット板は、各々縦方向に平行移動してその間隔が縦方向に対して連続的に変化する一対の縦スリット板と、各々横方向に平行移動してその間隔が横方向に対して連続的に変化する一対の横スリット板とを備えていることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  H01J 49/30 ,  H01L 21/265

FI (4件)：

H01J 37/317 Z ,  H01J 49/30 ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 D