特許
J-GLOBAL ID:200903079699438295
中空カーボンナノカプセルの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
朝日奈 宗太 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-318491
公開番号(公開出願番号):特開2003-252614
出願日: 2002年10月31日
公開日(公表日): 2003年09月10日
要約:
【要約】【課題】 純度の高い中空カーボンナノカプセルの製造方法を提供する。【解決手段】 (a)グラファイト陰極とグラファイト陽極とを備えるアークチャンバーを準備し、このアークチャンバーに不活性ガスを導入する工程、(b)パルス電流により該グラファイト陰極と該グラファイト陽極とのあいだに電圧を印加して、アーク放電を発生させる工程、および(c)該グラファイト陰極上に堆積した堆積物を収集する工程、からなる中空カーボンナノカプセルの製造方法。
請求項(抜粋):
(a)グラファイト陰極とグラファイト陽極とを備えるアークチャンバーを準備し、このアークチャンバーに不活性ガスを導入する工程、(b)パルス電流により該グラファイト陰極と該グラファイト陽極とのあいだに電圧を印加して、アーク放電を発生させる工程、および(c)該グラファイト陰極上に堆積した堆積物を収集する工程、からなる中空カーボンナノカプセルの製造方法。
Fターム (9件):
4G146AA11
, 4G146BA01
, 4G146BC17
, 4G146BC23
, 4G146BC28
, 4G146CA11
, 4G146CA20
, 4G146DA03
, 4G146DA17
引用特許:
出願人引用 (2件)
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米国特許第6063243号明細書
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独国特許発明第19740389号明細書
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