特許
J-GLOBAL ID：200903079703981896
薄膜キャパシタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155538
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354732
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 TiNやTiの酸化、Ru膜表面のモフォロジーの悪化、BSTの酸素不足という課題の発生を根本的に抑制できる薄膜キャパシタとその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 Ruを主成分とする第1の電極6の結晶粒界に酸素拡散防止層7を形成もしくは、第1の電極上に酸素拡散防止表面層を形成することで、第1の電極6の粒界からの酸素拡散および第1の電極原子の移動を抑制し、耐酸化性の向上と表面モフォロジーの劣化を防止する。
請求項（抜粋）：
第1の電極と、前記第1の電極上に形成された誘電体と、前記誘電体上に形成された第2の電極とを有する薄膜キャパシタであって、前記第1の電極がRuを主成分とする導電性材料から構成されており、前記第1の電極を構成するRu粒子間に酸素拡散防止層が形成されていることを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
