特許
J-GLOBAL ID：200903079723832056
薄膜形成装置およびその運転停止方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219241
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083774
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】一方の原料ガスである水素化物を効率良くクラッキングできる薄膜形成装置およびクラッキングセルに内蔵されたタンタルまたはタンタル含有金属製ヒータの水素脆化破壊を防止できる薄膜形成装置の運転停止方法を提供する。【構成】反応炉1と、一方のガスである水素化物をタンタルまたはタンタル含有金属で形成されたヒータ内蔵のクラッキングセル13aを経由させて反応炉1内に導入する系と、他方のガスを反応炉1内に導入する系とを備え、上記両ガスを原料ガスとして反応炉1内に配置された基板6上に薄膜を気相成長させるようにした薄膜形成装置において、クラッキングセル13aと反応炉1との間に、運転期間中はクラッキングセル13a内の圧力を反応炉1内の圧力より常に高い値に保持する流路絞り機構41を設けている。
請求項（抜粋）：
反応炉と、一方のガスである水素化物をタンタルまたはタンタル含有金属で形成されたヒータ内蔵のクラッキングセルを経由させて前記反応炉内に導入する手段と、他方のガスを前記反応炉内に導入する手段とを備え、前記両ガスを原料ガスとして前記反応炉内に配置された基板上に薄膜を気相成長させるようにした薄膜形成装置において、前記クラッキングセルと前記反応炉との間に設けられ、運転期間中は上記クラッキングセル内の圧力を前記反応炉内の圧力より常に高い値に保持する流路絞り機構を具備してなることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/3065
