特許
J-GLOBAL ID：200903079730593318
半導体加熱用セラミックスヒーター及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066157
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275434
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 緻密質セラミックスからなる基体の内部に抵抗発熱体を一体に埋設した半導体加熱用セラミックスヒーターにおいて、セラミックスヒーターの均熱性と品質の安定性とを確保し、製品毎のバラツキを抑え、生産性を上げ、かつ盤状等の基体を薄くできるようにすることである。【構成】 緻密質セラミックスからなる例えば円盤状の基体9Aの内部に、抵抗発熱体2を一体に埋設する。抵抗発熱体2は、高融点金属からなる金属箔によって形成されている。この製造工程においては、抵抗発熱体を上記金属箔によって形成し、抵抗発熱体をセラミックス粉体中に埋設し、次いでセラミックス粉体を一軸加圧成形して成形体を作製する。そして、成形体をホットプレス焼結等するか、コールドアイソスタティックプレス成形後に常圧焼結等する。
請求項（抜粋）：
緻密質セラミックスからなる基体と、この基体の内部に一体に埋設された抵抗発熱体とを備えた半導体加熱用セラミックスヒーターにおいて、前記抵抗発熱体が、高融点金属からなる金属箔によって形成されていることを特徴とする、半導体加熱用セラミックスヒーター。
IPC (3件)：
H01L 21/324
, H05B 3/18
, H05B 3/20 328
