特許
J-GLOBAL ID：200903079732816527
窒化ガリウム系結晶の熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239748
公開番号（公開出願番号）：特開平7-097300
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】少ないドープ量で十分なp型キャリアを得るためにp型不純物の活性化を高め、多量の不純物による結晶欠陥の発生を抑え、より発光出力の高い青色発光ダイオードを得る。【構成】Alx Ga1-x NやIny Ga1-y N層を有するGaNエピタキシャルウェハ1は、有機金属気相成長法を用い、窒素原料にアンモニアを使って形成する。エピタキシャル層をp型結晶とするために、成長時MgやZnなどのp型不純物をドープする。ドープしたp型不純物を活性化するために、GaNエピタキシャルウェハ1を抵抗加熱ヒータ5を巻いた反応管3内に入れて治具2上に載置し、窒化ガリウム系結晶を窒素雰囲気中で熱処理する。その際、水銀ランプ4を使って紫外線を照射する。その波長は、結晶中にp型不純物と共に取り込まれた水素の電荷を価電子帯へ励起するために200nm〜350nmとする。
請求項（抜粋）：
p型不純物をドープした窒化ガリウム系結晶Alx Ga1-x N、Iny Ga1-y N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1)を窒素雰囲気中で熱処理する際に、紫外線を照射することを特徴とする窒化ガリウム系結晶の熱処理方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 33/00
, H01L 21/26
, H01L 21/324
