特許
J-GLOBAL ID：200903079733868458
被覆基体及びその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安達 光雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236125
公開番号（公開出願番号）：特開平8-067965
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【課題】 光学的性質の変化を最小にしながら改良された化学的及び機械的耐久性を被覆基体に与えることにある。【解決手段】 被覆基体は、基体及びその上に形成した少なくとも一つの主被覆層を含む。この製品は、その上に陰極真空スパッタリングによって形成した露出した保護追加層を有することを特徴としている。保護層は、ケイ素の酸化物及びオキシ窒化物、及びケイ素の酸化物、窒化物及びオキシ窒化物の1種以上の混合物から選択し、1〜10nmの厚さ及び1.7未満の屈折率を有する。
請求項（抜粋）：
基体及びその上に形成した少なくとも一つの主被覆層を含む被覆基体において、陰極真空スパッタリングによってその上に形成した、1.7未満の屈折率を有し、ケイ素の酸化物及びオキシ窒化物、及びケイ素の酸化物、窒化物及びオキシ窒化物の1種以上の混合物から選択した材料の露出保護付加層を有し、前記保護層が1〜10nmの厚さを有することを特徴とする被覆基体。
IPC (4件)：
C23C 14/10
, C03C 17/34
, C23C 14/06
, C23C 14/34
