特許

J-GLOBAL ID：200903079734879879

磁気抵抗効果型ヘッド

発明者： 大野 卓爾
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西岡 伸泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337893
公開番号（公開出願番号）：特開平9-161241
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 基板上に、MR素子層4を形成すると共に、該MR素子層4の通電方向の両側に、一対の磁石層5、5を配置してなる磁気抵抗効果型ヘッドに於いて、磁石層5によってMR素子層4を十分に単磁区化する。【解決手段】 MR素子層4は、基板側から順に、MR膜43、非磁性分離膜42及び軟磁性膜41を積層して構成される。又、磁石層5は、永久磁石膜51上に導体膜52を積層して構成される。これによって、磁石層5の永久磁石膜51とMR膜43の接合状態が安定して、ばらつきのない接合面積が保証される。

請求項（抜粋）：

基板上に、磁気抵抗効果素子層を形成すると共に、該磁気抵抗効果素子層の通電方向の両側に、一対の永久磁石層を配置してなる磁気抵抗効果型ヘッドに於いて、磁気抵抗効果素子層は、基板側から順に、磁気抵抗効果素子膜、非磁性分離膜及び軟磁性膜を積層して構成されることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。