特許
J-GLOBAL ID:200903079740366190

半導体素子の実装構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-308660
公開番号(公開出願番号):特開平9-148370
出願日: 1995年11月28日
公開日(公表日): 1997年06月06日
要約:
【要約】【課題】 ICの表面を異方導電性接着剤の導電性粒子による押圧から保護し得る半導体素子の実装構造を提供する。【解決手段】 異方導電性接着剤を用いた半導体素子の実装構造において、半導体素子11に形成される電極12と、この電極12の周囲にこの電極12と電気的に分離された保護層13とを形成し、前記半導体素子11の電極12と基板1の電極2間を異方導電性接着剤3により接続する。
請求項(抜粋):
異方導電性接着剤を用いた半導体素子の実装構造において、(a)半導体素子に形成される電極と、(b)該電極の周囲に前記電極と電気的に分離された保護層とを形成し、(c)前記半導体素子の電極と基板の電極間を異方導電性接着剤により接続することを特徴とする半導体素子の実装構造。

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