特許

J-GLOBAL ID：200903079740520009

強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 垂井 康夫 ,  五月女 栄宏 ,  森田 信一 ,  谷本 智
出願人/特許権者： 垂井 康夫 ,  シャープ株式会社 ,  日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228541
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090587
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】安定した良質なPZTもしくはPLZT強誘電体膜を安定して製造する方法を提供する。【構成】O<SB>2</SB>もしくはO<SB>3</SB>雰囲気中で、PZTすなわちPb(Zr<SB>x</SB>Ti<SB>1-x</SB>)O<SB>3</SB>(0<x<1)の各構成元素を、Ti原料、Pb原料、Zr原料、Pb原料の順序のサイクルで独立して交互に供給し、酸素以外の各構成元素の原料の堆積量および堆積時間を独立に制御しながら、Ti、Pb、Zr、Pbの順序のサイクルで交互に堆積して、基板上に、分子式に示された化学量論組成にしたがったPZTを単分子層または複数分子層形成し、上記の工程を必要な膜厚が得られるまで複数回繰り返すことにより、上記分子層が積層した構造のPZT薄膜を形成する製造方法。

請求項（抜粋）：

薄膜形成法において、O<SB>2</SB>もしくはO<SB>3</SB>雰囲気中で、いわゆるPZT、すなわちPb(Zr<SB>x</SB>Ti<SB>1-x</SB>)O<SB>3</SB>(0<x<1)の各構成元素を、Ti原料、Pb原料、Zr原料、Pb原料の順序のサイクルで独立して交互に供給し、酸素以外の各構成元素の原料の堆積量および堆積時間を独立に制御しながら、Ti、Pb、Zr、Pbの順序のサイクルで交互に堆積して、基板上に、分子式に示された化学量論組成にしたがったPZTを単分子層または複数分子層形成し、上記の工程を必要な膜厚が得られるまで複数回繰り返すことにより、上記分子層が積層した構造のPZT薄膜を形成する、ことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 16/06 ,  C01G 25/00 ,  C30B 29/32 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/12 418

FI (2件)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10