特許

J-GLOBAL ID：200903079740532627

太陽電池の製造法

発明者： 花房 彰 ,  澁谷 聡 ,  有田 孝 ,  室園 幹夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-088508
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291599
出願日： 1992年04月09日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 ガラス基板上に窓層としてCdS薄膜を形成し、その上に光吸収層としてCdTe薄膜を形成する太陽電池に関し、CdSとCdTeの相互拡散によるCdTe層への光の到達量の減少を防止して光感度が良く、変換効率が高いとともに出力電圧の大きい太陽電池を提供する。【構成】 ガラス基板にスパッタ法等によりCdS膜を形成した後、このCdS膜の表面にCdCl<SB>2</SB>などのハロゲン化合物からなる薄膜を真空成膜法等で作製し、ついでこれを前記ハロゲン化合物からなる薄膜の融点以上の温度で熱処理してその上にCdTe膜を形成するものである。これにより、グレンサイズを増大させることができ、CdSとCdTeの相互拡散を抑制することかできるので、光をよく吸収するCdTe<SB>(1-y)</SB>S<SB>y</SB>膜(0<y<1)の形成を防止することができる。したがって、光感度が良く、実効光電変換効率の高い太陽電池を得ることができる。また、これによりグレンバンダリーの表面積を減少することができ、電池の出力電圧も増大させることができる。

請求項（抜粋）：

窓層としてCdS膜を備えた太陽電池の製造法であり、CdS膜の形成後、このCdS膜の表面に融点が700°C未満のCdのハロゲン化合物より成る膜を形成し、これを熱処理した後、光吸収層の薄膜を形成する太陽電池の製造法。