半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-218491
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074274
出願日： 1993年09月02日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】素子分離領域およびMOSトランジスタ用のゲート絶縁膜を順次形成する際、素子分離領域のエッジ部におけるゲート絶縁膜の薄膜化を防ぎ、ゲート絶縁膜の耐圧の向上、ゲート絶縁膜を用いて形成される素子の特性の安定化を図る。【構成】半導体基板21上に第1の絶縁膜22およびマスク用の堆積膜23を順次形成する工程と、堆積膜と第1の絶縁膜と半導体基板とを異方性エッチングにより順次加工し、半導体基板に溝25を形成する工程と、溝中に半導体基板の上面まで第2の絶縁膜27を埋め込む工程と、堆積膜をマスクとして半導体基板表面の熱酸化を行い、第2の絶縁膜上と堆積膜の下の一部に再酸化膜28を形成する工程と、堆積膜および第1の絶縁膜を除去し、半導体基板の素子形成予定領域上にゲート絶縁膜30を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極31を形成する工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜およびマスク用の堆積膜を順次形成する工程と、前記堆積膜と第1の絶縁膜と半導体基板とを異方性エッチングにより順次加工し、半導体基板に溝を形成する工程と、前記溝中に前記半導体基板の上面まで第2の絶縁膜を埋め込む工程と、前記堆積膜をマスクとして半導体基板表面の熱酸化を行い、前記第2の絶縁膜上と前記堆積膜の下の一部に再酸化膜を形成する工程と、前記堆積膜および第1の絶縁膜を除去し、前記半導体基板表面の熱酸化を行い、素子形成予定領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 21/76 L

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