特許

J-GLOBAL ID：200903079747214213

基板処理装置

発明者： 奥田 和幸 ,  境 正憲
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-073145
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281853
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】基板を収容する反応室内に第1の反応ガスと第2の反応ガスとを交互に供給し基板上に所望の膜を成膜する基板処理装置であって、シーケンスの時間が短く、効率的な成膜を行える基板処理装置を提供する。【解決手段】ジクロロシラン(DCS)とNH3を交互に処理炉202に供給して、SiN膜を成膜する際、DCSを供給したあとのパージは、プラズマ励起を行っていないNH3を用いて行う。これにより、DCSを供給したあとのN2ガスによるパージや真空排気を行う必要がなくなり、シーケンスの時間が短くなって、効率的な成膜を行えるようになる。また、NH3ガスの放電を行うタイミングよりも先に、NH3ガスを流して、放電領域であるバッファ室237をNH3ガスにて置換し、その後放電を行う。これにより、放電時間のすべてを所望のラジカル等の励起種の供給に使用できるようになる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板を収容する反応室内に、第1の反応ガスと第2の反応ガスとを交互に供給し、該基板上に所望の膜を成膜する基板処理装置であって、 該反応室内への該第1の反応ガスの供給を停止した後に、該第2の反応ガスを該反応室内に供給することで、該第1の反応ガスを排出させる工程と、その後、第2の反応ガスを該基板上に吸着している該第1の反応ガスと反応させて該基板上に膜を成膜させる工程とが実行されることを特徴とする基板処理装置。

IPC (1件)：

H01L21/318

FI (1件)：

H01L21/318 C

Fターム (4件)：

5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜形成方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-612991   出願人：ゼニテックインコーポレイテッド