特許

J-GLOBAL ID：200903079751001534

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 寿哉 ,  大場 隆之 ,  陣内 新平 ,  村上 誠志
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133618
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061229
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】バリアメタル材料となる高融点金属窒化物の成長工程を有する半導体装置の製造方法に関し、配線のバリアメタルとなる高融点金属窒化物を低温で低抵抗に形成し、しかも、膜成長の際の反応生成物のチャンバ内の付着を防止するとともに、自然酸化膜の除去からコンタクトメタル、バリアメタルの成長までを減圧下で行うことを目的とする。【構成】バリアメタルとなる高融点金属窒化物を成長する場合に、還元及び窒化ガスとしてアルキルアジド化合物、アルキルアミノ化合物、ヒドラジン又はヒドラジンアルキル化合物を含むガスを用いる。

請求項（抜粋）：

高融点金属を含むソースガスと、該ソースガスを還元及び窒化するアルキルアミノ化合物、ヒドラジン、ヒドラジンアルキル化合物、アルキルアジド化合物のうち少なくとも1つを還元ガス及び窒素源として使用し、高融点金属窒化物膜を化学気相成長法により形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-278431
  
• 特開昭63-002319
  
• 特開昭63-174319
  
• 特開平3-101231
  
• 特開平3-214734