特許

J-GLOBAL ID：200903079751708875

高速半導体デバイスの極薄活性領域の製造方法

発明者： ジョン・イー・ターナー ,  セオドーア・アイ・カマインズ ,  マーティン・ピー・スコット ,  イヴァン・エイチ・ケラー
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-009855
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347313
出願日： 1993年01月25日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 薄くて高濃度にドーピングされたベース領域を備えた高速高性能半導体デバイスの製造方法を提供すること【構成】 中央活性領域(14)からその隣接領域へのト ゙ーハ ゚ントの拡散を抑制する。中央活性領域は、拡散抑止材料(好適にはケ ゙ルマニウム)の半導体材料(好適にはシリコン)への導入を選択的に増減させて、ト ゙ーハ ゚ントの外方拡散が最小となるよう拡散抑止材料の含有の垂直フ ゚ロフィルを適応させることによりエヒ ゚タキシャル形成される。一実施例では拡散抑止材料の濃度をハ ゙イホ ゚ーラトランシ ゙スタのヘ ゙ース領域の対向両側部で増大させてコレクタ領域(12)及びエミッタ領域(14)とのヘ ゙ース領域の境界に濃度ヒ ゚ークを与えるようにした。Si1-xGex層でのケ ゙ルマニウム濃度はxが0.08〜0.35、最適には0.15〜0.31の範囲内となる。ト ゙ーハ ゚ント(好適にはホ ゙ロン)も、外方拡散を最小限とする為、適応された濃度フ ゚ロフィルを有する。これにより一層薄く高濃度にト ゙ーフ ゚された活性領域が達成される。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス(10)のドープ領域(14)の製造方法であって、前記ドープ領域に隣接する領域へのドーパントの拡散を抑制するものであり、この方法が、第1のエピタキシャル層(14)を単結晶半導体からなる第2の層(12)に隣接して形成するというステップからなり、この形成ステップが、半導体材料内にドーパントと拡散抑制材料との両方をエピタキシャル統合させるステップを含み、前記拡散抑制材料の前記エピタキシャル統合が、前記半導体の第2の層への前記ドーパントの拡散が最小限となるように前記第1のエピタキシャル層内の前記拡散抑制材料の濃度を適応させるステップを含み、前記半導体の第2の層には前記拡散抑制材料がほとんど存在せず、これにより、前記拡散抑制材料の濃度を適応させる前記ステップが前記第1のエピタキシャル層からのドーパントの外方拡散を最小限にして前記第1のエピタキシャル層内のドーパントの拡散を抑制することを特徴とする、高速半導体デバイスの極薄活性領域の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73