特許

J-GLOBAL ID：200903079752698725

半導体装置の製造方法

発明者： 浦島 仁 ,  石原 数也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-079431
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267302
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 金属薄膜上に製膜した強誘電体薄膜をドライエッチングしようとする時、生成物が、パターン側面や表面に付着した。【解決手段】 エッチングガスとしてAr、C2F6およびCl2からなる混合ガスを用いて強誘電体膜をエッチングした後、基板を40°C以上、且つ、90°C以下のH2O中に浸漬処理することにより、付着した生成物を除去できる。

請求項（抜粋）：

表面に下部電極層を具備した基板上に成膜された誘電体薄膜の加工方法で、該誘電体薄膜上にフォトレジストから成るマスクパターンを形成するパターニング工程と、該マスクパターンに被覆されない領域を除去するエッチング工程と、該エッチング工程後の基板を薬液に浸漬する洗浄工程とを含む半導体装置の製造方法において、該エッチング工程で使用するガスが、Cl2とフッ化化合物とを有する混合ガスであり、前記薬液がH2Oであることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 27/10 651

Fターム (29件)：

5F004AA09 ,  5F004BA14 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DB13 ,  5F004EA10 ,  5F004FA08 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH12 ,  5F083FR01 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33