特許

J-GLOBAL ID：200903079755699358

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 齋藤 清雄
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-189148
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056005
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】絶縁性高分子基板の両面の電極を接続するための貫通孔をレーザ光で開けるときに摺り鉢状にならないようにする。また、一面上の層の分離加工をレーザ光でするとき、基板を透過した光で他面上の層が損傷されないようにする。【構成】短波長のレーザ光、例えばYAGレーザの第四高調波を用いれば、高分子基板の透過率が低いため、円柱状の貫通孔が形成でき、他面上の層を損傷することがない。また、レーザ光の透過率が低く、厚い高分子基板を用いることも、加工される層の表面反射率を低める層を被覆してレーザ光の加工出力を低めることも、分離加工の際の他の層への影響を小さくする。

請求項（抜粋）：

絶縁性高分子基板の一面上に順次積層された下部電極層、半導体薄膜よりなる光電変換層および透明電極層から構成される単位太陽電池の接続が、高分子基板の他面上に形成され、前記下部電極層および透明電極層と基板に開けられた貫通孔を通る導体によって接続された対面電極層を介して行われる薄膜太陽電池の製造方法において、高分子基板に貫通孔を開ける加工に基板の高分子材料を実質的に透過しないレーザ光を用いることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/268