特許

J-GLOBAL ID：200903079756388259

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 渡 邊 実
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164673
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345514
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 二種類の光源を同一チップ上にモノリシックに搭載し、かつ光ディスクへの書き込みを行うことができるように高出力動作が可能な半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 同一の半導体基板1上に、第1の波長帯を有する第1の半導体レーザ構造体8と、第2の波長帯を有する第2の半導体レーザ構造体15とがモノリシックに形成され、第1、第2の半導体レーザ構造体8、15のそれぞれのレーザ出力端面が、共通のZn拡散工程によって無秩序化して窓構造が形成されていることで、高出力を得ることが可能である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、第1の発振波長を有する第1の半導体レーザ構造体と、前記半導体基板上に形成され、第2の発振波長を有する第2の半導体レーザ構造体とを備え、前記第1、第2の半導体レーザ構造体のそれぞれのレーザ出力端面が、不純物拡散により無秩序化して、前記第1及び第2の発振波長のレーザ光に対して非吸収領域となっていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 5/22 610 ,  H01S 5/16 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01S 5/22 610 ,  H01S 5/16 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343

Fターム (16件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA87 ,  5F073AB06 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CA06 ,  5F073CA14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA12 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35