特許

J-GLOBAL ID：200903079761041747

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 峯本 尚 ,  園田 信雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320003
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176821
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 II-VI族半導体レーザ装置の長寿命化及び信頼性の向上を図る。【構成】 不活性ガスを封入した密閉容器17の内部17aに、半導体レーザチップ11と共にゲッタリングヒータ16を設け、組み立て完了後にゲッタリングヒータ16に所定の電流を通電し、密閉容器内部17aの活性不純物ガスとゲッタリングヒータ16の材料とを反応させ、密閉容器内部17aから不純物ガスを除去する。

請求項（抜粋）：

密閉容器と、前記密閉容器内に設けられレーザ光を発振する半導体レーザチップと、前記密閉容器内に設けられ前記密閉容器内の不純物ガスを除去するためのゲッタリングヒータとを具備する半導体レーザ装置。