被膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-238206
公開番号（公開出願番号）：特開2003-082463
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】光ディスクや磁気テープ等の記録媒体を保護するために、その表面にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)膜をCVD法で成膜する。【解決手段】巻き取りドラムから巻き取りドラムへと基体を移動させつつ一対の電極の間において基体の表面に炭素被膜を形成する。炭素被膜を形成する際に、基体に接する一対のガイドローラを超音波振動させることにより、一対の電極間において基体を超音波振動させることができる。基体が超音波振動することによって、粒の小さいクラスタ状炭素、あるいは炭素分子を基体表面に堆積することができ、成膜される炭素被膜を緻密で均質なものとすることができる。

請求項（抜粋）：

巻き取りドラムから巻き取りドラムへとフィルム状の基体を移動させつつ一対の電極の間において前記基体の表面に炭素被膜を形成する被膜形成方法であって、前記炭素被膜を形成する際、前記基体に接する一対のガイドローラを超音波振動させることを特徴とする被膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/26 , C23C 16/458 , G11B 5/84 , G11B 5/85

FI (4件)：

C23C 16/26 , C23C 16/458 , G11B 5/84 B , G11B 5/85 Z

Fターム (19件)：

4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030BA28 , 4K030CA07 , 4K030CA17 , 4K030DA02 , 4K030FA03 , 4K030GA01 , 4K030GA04 , 4K030GA14 , 4K030HA04 , 4K030LA20 , 5D112AA07 , 5D112AA22 , 5D112BC05 , 5D112FA10 , 5D112FB21 , 5D112GA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-245562
特開平1-261298
特開平1-166329

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