特許

J-GLOBAL ID：200903079763984916

ホログラムメモリ素子及びその製造方法

発明者： 堀 健次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-358318
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191239
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】鉄等の遷移金属元素が均一に分布した、高品質のホログラムメモリ素子用のLN単結晶を作製でき、光損傷効果の感度、BER等の特性に優れたものとする。【解決手段】ホログラムメモリ素子1は、LiとNbの原子組成比Li/Nbが0.937≦Li/Nb≦0.943であり、かつ遷移金属元素を含有せしめたニオブ酸リチウム単結晶から成る。

請求項（抜粋）：

LiとNbの原子組成比Li/Nbが0.937≦Li/Nb≦0.943であり、かつ遷移金属元素を含有せしめたニオブ酸リチウム単結晶から成ることを特徴とするホログラムメモリ素子。

IPC (4件)：

G11B 7/24 501 ,  C30B 29/30 ,  G03C 1/725 ,  G03H 1/02

FI (4件)：

G11B 7/24 501 Z ,  C30B 29/30 A ,  G03C 1/725 ,  G03H 1/02