特許

J-GLOBAL ID：200903079769257870

半導体記憶装置、制御装置及び半導体記憶装置の制御方法

発明者： 茅野 岳人 ,  堀内 浩
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380230
公開番号（公開出願番号）：特開2003-186739
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】メモリセル内の複写を行う場合一つのコマンドで複写動作を実行する半導体記憶装置及びその制御方法を提供する。【解決手段】copyコマンドが与えられると、メモリセルのブロックAより1ページ分のデータを読み出して,ページバッファへ格納され、格納された1ページ分のデータをブロックBに書き込む。この時、ブロックBのアドレスは内部ロジックで自動生成する、また、この書き込み動作が完了すると、外部からの消去コマンドを受領しなくても、自動的に複写元であるブロックAのデータは消去される。

請求項（抜粋）：

それぞれページ単位で区分された複数のブロックを有するメモリと、このメモリに接続され、前記ブロックの読み出しデータ及び書き込みデータをページ単位で保持するデータレジスタと、外部からの複写コマンドを受領すると、複写元の前記ブロックの前記データをページ単位で読み出して前記データレジスタに保持し、この保持された前記データを複写先のブロックに書き込むまでの一連の複写動作を実行する制御回路部と、を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G06F 12/02 580 ,  G06F 12/00 597 ,  G11C 16/02

FI (3件)：

G06F 12/02 580 B ,  G06F 12/00 597 U ,  G11C 17/00 601 Z

Fターム (11件)：

5B025AD00 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD15 ,  5B025AE05 ,  5B060AB18 ,  5B060CA18 ,  5B060DA04 ,  5B060MM19