特許
J-GLOBAL ID：200903079772336730
光起電力素子及び発電システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286960
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204514
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、光励起キャリアーの再結合を防止し、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子とその発電システムを提供することを目的とする。【構成】 多結晶シリコンまたは単結晶シリコンから構成されたn型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンから構成された第1のp型層、非単結晶半導体材料からなるn型層、非単結晶半導体材料からなるi型層、非単結晶シリコン系材料からなるSi層、非単結晶半導体材料からなる第2のp型層が順次積層された光起電力素子に於いて、該i型層はシリコン原子と炭素原子を含有し、該i型層のバンドギャップが層厚方向になめらかに変化し、バンドギャップの極小値は層厚の中央の位置より前記第2のp型層の方向に片寄っていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコンまたは単結晶シリコンから構成されたn型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンから構成された第1のp型層、非単結晶半導体材料からなるn型層、非単結晶半導体材料からなるi型層、非単結晶シリコン系材料からなるSi層、非単結晶半導体材料からなる第2のp型層が順次積層された光起電力素子に於いて、該i型層はシリコン原子と炭素原子を含有し、該i型層のバンドギャップが層厚方向になめらかに変化し、バンドギャップの極小値は層厚の中央の位置より前記第2のp型層の方向に片寄っていることを特徴とする光起電力素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 Y
, H01L 31/04 W
