特許
J-GLOBAL ID:200903079774252836

表面処理キセロゲルを用いたイオン分離

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小田島 平吉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-530299
公開番号(公開出願番号):特表2002-502684
出願日: 1999年02月03日
公開日(公表日): 2002年01月29日
要約:
【要約】シリカゲルを生じさせた後、それに熟成を40-80°Cで受けさせる。次に、これに表面修飾を前記温度で受けさせ、そして結果として得た材料を用いて金属イオンを溶液から取り除く。
請求項(抜粋):
シラノール(Si-OH)基を表面に有していてゲル構造内に開放通路を多数するナノポラス連続気泡官能化シリカゲルを製造する方法であって、(a)シリカゾル溶液をゲル化させて湿ったシリカゲルを生じさせ、(b)前記シリカゲルを湿った状態で約40から約80°Cの範囲の温度に維持することでシラノール(Si-OH)基を表面に有していてゲル構造内に開放通路を多数有する湿ったナノポラスシリカゲルを得、そして(c)選択的吸着または反応触媒作用に有効な官能化基を導入する配位子基を前記表面のシラノール基と反応させる、ことを含んで成る方法。
IPC (2件):
B01J 20/10 ,  B01J 39/14
FI (2件):
B01J 20/10 D ,  B01J 39/14
Fターム (15件):
4G066AA22A ,  4G066AA22B ,  4G066AB06A ,  4G066AB18D ,  4G066BA23 ,  4G066BA25 ,  4G066BA28 ,  4G066BA38 ,  4G066CA11 ,  4G066CA45 ,  4G066CA46 ,  4G066DA07 ,  4G066DA08 ,  4G066FA03 ,  4G066FA34

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