特許

J-GLOBAL ID：200903079775456753

表示装置及びその製造方法

発明者： 井上 聡
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-372219
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176178
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 低コストに製造することのできる表示装置を実現する。【解決手段】 基板上に設けられている画素電極101の周囲にソースライン102を設け、ソース及びゲートとなる領域を開口させた絶縁膜103を形成し、ソース104a及びドレイン104bを形成し、これらソース104a及びドレイン104bの上方に半導体膜5、ゲート105を設ける製造方法において、略大気圧下において上記各部を形成する。略大気圧下において製造できるので、真空チャンバ等の特別な装置を必要とせず、表示装置を安価に製造できる。

請求項（抜粋）：

画素電極と、前記画素電極に電圧を印加するためのトランジスタと、を含む表示装置であって、少なくとも、前記トランジスタの能動層が有機材料からなることを特徴とする表示装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/167 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/37

FI (6件)：

G02F 1/167 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/37 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (25件)：

5C094BA03 ,  5C094BA09 ,  5C094BA75 ,  5C094BA76 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110EE04 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110HK02 ,  5F110HK31 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN32