特許
J-GLOBAL ID：200903079776661474
加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172282
公開番号（公開出願番号）：特開平10-015790
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエーハ等の被加工物を加工する方法であって、加工領域における装置が加工屑の付着で機械的な不都合を防止すること、並びに付着した加工屑の落下による被加工物に対するコンタミネーション等の不都合を防止すること。【解決手段】 加工屑によるコンタミネーションを防止するために加工領域の雰囲気を静電気除去手段によって除電しながら加工を遂行する加工方法であり、加工領域において駆動摩擦等により発生する静電気を除去しながら、加工を遂行するものであるから、加工屑に帯電現象が生じなくなり、静電気によって被加工物または加工部の周辺に加工屑が付着していたのを防止できるので、加工屑によるコンタミネーションの付着が回避される。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハ等の被加工物に加工液を供給しながら砥石で加工を施す加工方法であって、加工屑によるコンタミネーションの付着を防止するために加工領域を含む周囲の雰囲気を静電気除去手段によって除電しながら加工を遂行することを特徴とする加工方法。
IPC (3件)：
B24B 1/00
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304 331
B24B 1/00 A
, H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 331
