特許

J-GLOBAL ID：200903079779193226

MOSトランジスタの製造方法

発明者： 滝山 真功
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169000
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018051
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 シリコン酸化膜とその上部電極の界面及びその界面近傍のシリコン酸化膜内にのみクロミウムを含ませるとともにクロミウムがシリコン基板内の不純物の濃度分布に悪影響を及ばさないようにする。【構成】 クロミウム成分又はクロミウム酸化物成分を含む雰囲気でシリコン基板11を熱酸化することにより、シリコン酸化膜12とその上部電極15の界面及びその界面近傍のシリコン酸化膜13内にのみクロミウムを含ませる。【効果】 シリコン酸化膜中にクロミウムを効果的に含ませることにより、シリコン膜の絶縁性の劣化がほとんどなく、且つシリコン基板中の電気的特性の劣化がほとんど発生せずに、しきい値電圧を制御できるMOSトランジスタを容易に製造できる。

請求項（抜粋）：

クロミウム成分又はクロミウム酸化物成分を含む雰囲気でシリコン基板を熱酸化することによりクロミウムを含有するシリコン酸化膜を形成することを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P