特許

J-GLOBAL ID：200903079779283462

半導体装置とその製造方法

発明者： 大音 光市
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228924
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074709
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】ステップカバレッジが良好で大気中で酸化され難いバリヤ膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン半導体基板上の絶縁膜に形成されたコンタクト孔4あるいは配線用溝のバリヤ膜として、Ti{N(CH3 )2 }4 もしくはTi{N(C2 H5 )2 }4 を用いたCVD法で前述の有機原料を熱分解して成膜したTiCN膜6-1と、前述の有機原料とNH3 を反応させて成膜したTiN膜6-2を2層以上重ねて積層のバリヤ膜を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜に形成されたコンタクト孔又は配線用溝を埋めてバリヤ膜と導電膜とが設けられている半導体装置において、前記バリヤ膜が炭窒化チタンを少なくとも主成分として含む非晶質の第1の膜と窒化チタンを少なくとも主成分として含む第2の膜との多層膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化チタン薄膜の作成方法及び薄膜デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-227324   出願人：アネルバ株式会社