特許
J-GLOBAL ID：200903079780293587
半導体電気ヒータおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安達 光雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-151682
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055672
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【目的】 金属材料と半導体材料を機械的および電気的に接合する方法を開示する。【構成】 本発明による方法は、例えば半導体ヒータの形成、特に電気的喫煙用品で使用のために用いられる。銅合金の電力供給用金属片のごとき金属素子2を、ドーピングを施したシリコン抵抗ヒータ素子のごとき半導体素子1にレーザー溶接する。レーザー光線Lは、シリコン材料5を溶かすため銅合金片の穴3を通して方向づけられ、溶けたシリコン材料は銅片の穴に流入し、銅と反応して混合し、ケイ化銅を含有するスラグを形成するように固化する。所望の場合、銅合金を酸化から護るため、ニッケルのごとき保護材料を用いてもよい。抵抗の少ないオーム接触と高強力の接合が部品同志の間に与えられる。
請求項（抜粋）：
金属素子と半導体素子とを接合する方法において、(a) 貫通する穴(3)、(3’)を有した金属素子(2)、(2’)を用意し、(b) 前記金属素子の穴に隣接して半導体素子(1)、(1’)を位置決めし、(c) 制御された量の熱(L)、(L”)を加えて或る量の半導体材料(5)を溶かし、前記穴に流し込み、金属材料と反応させ、(d) 反応した材料を穴内で固化するのを許容して前記金属素子と半導体素子との間に実質的なオーム電気抵抗を有する接合をもたらすことを特徴とする金属素子と半導体素子とを接合する方法。
IPC (4件)：
H05B 3/03
, A24F 47/00
, H01L 21/768
, H05B 3/06
