特許
J-GLOBAL ID:200903079783838614

半導体用タングステンターゲットの製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 坂本 栄一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-052871
公開番号(公開出願番号):特開平8-250426
出願日: 1995年03月13日
公開日(公表日): 1996年09月27日
要約:
【要約】【目的】半導体製造において使用されるタングステンのスパッタリングターゲットの製造装置を提供する。【構成】原料ガス導管3とこれに続く、多孔板4を底面とする中空円錐状の原料ガス吹き出し口5とからなる原料ガス供給部6、排気ガス排出部7、基板設置台9上にステンレス鋼からなる基板10を備えてなる反応容器2よりなり、原料ガス供給部6は反応容器2の上部略中央に位置し、排気ガス排出部7は反応容器2の側面に設け、この排気ガス排出部7と対向する側面に基板設置台9の出し入れ用扉8を有し、反応容器2底部に基板設置台9の摺動部を有し、反応容器2底部付近に加熱手段11を有し、特に、原料吹き出し口5が水平方向に回転する機構、および基板設置台9に基板回転機構を有する。
請求項(抜粋):
原料ガス導管3とこれに続く、多孔板4を底面とする中空円錐状の原料ガス吹き出し口5とからなる原料ガス供給部6、排気ガス排出部7、基板設置台9上にステンレス鋼からなる基板10を備えてなる反応容器2よりなり、原料ガス供給部6は反応容器2の上部略中央に位置し、排気ガス排出部7は反応容器2の側面に設け、この排気ガス排出部7と対向する側面に基板設置台9の出し入れ用扉8を有し、反応容器2底部に基板設置台9の摺動部を有し、反応容器2底部付近に加熱手段11を有することを特徴とする半導体用タングステンターゲットの製造装置。
IPC (4件):
H01L 21/203 ,  C22C 27/04 101 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/205
FI (4件):
H01L 21/203 S ,  C22C 27/04 101 ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/205
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 気相成長装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-005891   出願人:株式会社東芝
  • 特公昭43-025373
  • 特開平1-100913
全件表示

前のページに戻る