特許

J-GLOBAL ID：200903079798940474

X線反射マスク、その保護方法、X線露光装置及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 杉崎 克巳
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 渡部 温 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-049619
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252162
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 X線反射型マスクを確実にごみから保護することのできるX線反射型マスクを提供する。【解決手段】 反射型マスク23は、基板41上に成膜された反射膜47と、反射膜47を覆うように配置されて、反射膜47を汚染から保護する取外し自在のカバー43を備える。カバー43と反射膜47との間51は、Oリング45により真空又は清浄な置換気体が充填された状態に保持されている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたマスクパターンと、少なくともマスクパターンを覆うように配置され、該マスクパターンを汚染から保護する取外し自在のカバーと、このカバーとマスクパターンとの間を真空又は清浄な置換気体で保持する気密保持機構と、を具備することを特徴とするX線反射マスク。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/14 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503

FI (4件)：

G03F 1/14 E ,  G03F 1/16 A ,  G03F 7/20 503 ,  H01L 21/30 531 M

Fターム (6件)：

2H095BA10 ,  2H095BC19 ,  2H097CA15 ,  2H097LA10 ,  5F046GD10 ,  5F046GD20