特許

J-GLOBAL ID：200903079800539928

半導体装置の製造方法

発明者： 石山 俊彦 ,  松本 聡 ,  谷内 利明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114854
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306922
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、製造工程を低減し、コストを低下させる半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、トレンチ構造の半導体装置の製造方法において、n+形半導体基板1上に形成されたトレンチ構造2内を、SiHcl3をH2雰囲気で流す選択エピタキシャル成長により、p形の不純物層4で埋めた後、表面を平坦化する工程を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

トレンチ構造の半導体装置の製造方法において、第一の導電形基板上に形成されたトレンチ構造内を、クロル基を少なくとも1つ含むシラン系ガスをH2雰囲気で流す選択エピタキシャル成長により、第一の導電形とは異なる第二の導電形の不純物層で埋めた後、表面を平坦化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 658 E ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 652 E ,  H01L 29/78 652 C

Fターム (21件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BB13 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030DA05 ,  4K030DA08 ,  4K030JA10 ,  4K030KA25 ,  5F045AB03 ,  5F045AC02 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045CA05 ,  5F045DB02 ,  5F045GH10