特許

J-GLOBAL ID：200903079805239809

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 筆田 麻祐子 ,  幡 俊雄 ,  辰巳 正毅 ,  木村 大覚
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-327067
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133590
出願日： 2001年10月25日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 従来の周縁電極を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、基板から反射されてきた光は周縁電極に遮られて、素子外部に出て行かない。【解決手段】 同一面側にn型用とp型用の両電極を有する発光素子において、透明導電膜をn型用透明電極として利用したことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、窒化ガリウム系化合物半導体発光層、第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、第2導電型窒化ガリウム系化合物半導体層と同一表面側に露出させた第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に、第1導電型用電極として透明導電膜が第2導電型用電極の周囲に形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01M 14/00

FI (3件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01M 14/00 P

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5H032AS16 ,  5H032EE07