半導体デバイスの製造方法及びそれに用いるプラズマ処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224787
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070105
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】半導体LSIの製造における半導体材料のプラズマによる微細加工において、プラズマ発生用高周波電源とプラズマの解離度調整用マイクロ波電源とエッチング処理ウエハに対向するシリコン電極とこれをスパッタリングするための低周波電源からなるプラズマ処理装置により、高精度、高選択シリコン酸化膜エッチングを可能にする。【解決手段】プロセスガスから高周波電源8によりプラズマ2を発生、維持し、マイクロ波によりプラズマ2の解離度を制御し、さらにシリコン選択比を向上するためにエッチング処理ウエハ4に対向する位置に設置したシリコン電極1を低周波電源18によりスパッタリングしながらエッチング処理を行う。【効果】セルフアラインコンタクトプロセスにおけるシリコン酸化膜のエッチングを、高精度、高選択比で行うことができるようになった。

請求項（抜粋）：

処理ガスが導入されて所定の圧力に維持された処理室の内部の載置部に異なる種類の複数の絶縁膜を有する半導体デバイスを載置し、前記載置部に第1の高周波電力を供給して前記処理室内にプラズマを発生させ、前記処理室内に前記第1の高周波電力よりも周波数が高く前記第1の電力よりも小さい電力の第2の高周波電力を供給することにより前記半導体デバイスの異なる種類の絶縁膜をエッチング処理することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , C23F 4/00 E , C23F 4/00 D , H05H 1/46 A

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