特許
J-GLOBAL ID：200903079808875170

プラズマ処理装置および方法

発明者：
大本 豊

大本 豊 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245534
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057145
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】高速の半導体回路を高歩留まりで加工できるプラズマ処理装置の提供にある。【解決手段】排気手段と、原料ガス供給手段と、被加工試料設置手段と、被加工試料への高周波電力印加手段を有する真空容器内で、前記原料ガスをプラズマ化し、被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板の温度を処理の進行に従って予め設定された温度パターンに制御するよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
請求項（抜粋）：
排気手段と、原料ガス供給手段と、被加工試料設置手段と、被加工試料への高周波電力印加手段を有する真空容器内で、前記原料ガスをプラズマ化し、被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板の温度を処理の進行に従って予め設定された温度パターンに制御するよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2件)：
C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B
Fターム (19件)：
4K057DA12 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DD08 ,  4K057DG02 ,  4K057DM03 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA16 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BC08 ,  5F004CA04 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA30
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM